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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd
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El número de unidades de producción será el siguiente:

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Descripción: MOSFET N/P-CH

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Módulos del controlador de potencia
El tipo:
IGBT
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
El Sr.:
en semi
Válvulas:
Las demás:
Envase / estuche:
Modulo PowerDIP de 38 pulgadas (0,610", 24,00 mm), 24 conductores
Configuración:
Inversor de 3 fases
Voltado - aislamiento:
El valor de las emisiones de CO2
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Módulos del controlador de potencia
El tipo:
IGBT
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
El Sr.:
en semi
Válvulas:
Las demás:
Envase / estuche:
Modulo PowerDIP de 38 pulgadas (0,610", 24,00 mm), 24 conductores
Configuración:
Inversor de 3 fases
Voltado - aislamiento:
El valor de las emisiones de CO2
Descripción
El número de unidades de producción será el siguiente:
Módulo de conductor de potencia IGBT Inverter de 3 fases 600 V Módulo PowerDIP de 38 voltios (0,610", 24,00 mm), 24 cables

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