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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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NAND01GR382CZA6 BGA STMicroelectrónica |
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STMicroelectrónica
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10000
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A3952SLB Allegro MicroSystems controlador de motor PWM de puente completo |
El conductor del motor de puente completo DMOS
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Microsistemas allegro, LLC
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10000
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TLV320AIC3000IRGZR Circuito integrado de instrumentos de Texas |
Interconecte - los codificadores-decodificador
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Instrumentos de Texas
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10000
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LY2J-DC12V Omron Electrónica 12V 2PDT ROHS |
retransmisión de fines generales
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Electrónica de Omron
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10000
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NU80579EZ004C S LJ6C Procesador integrado Intel |
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Información
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10000
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MXL251-AF-T MXL251 909-0025102 MAXLINEAR Tuner de cable digital doble |
SoC con doble sintonizador de cable digital/demodulador
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MaxLinear, Inc.
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10000
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SIS426DN-T1-GE3 Vishay Siliconix ratón |
MOSFET de 20 V (D-S) de canal N
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Vishay Semiconductores
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10000
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5962-9761501Q2A Inversores de instrumentos de Texas y disparadores de Schmitt |
Inversores hex Schmitt-Trigger
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Instrumentos de Texas
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10000
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K4B4G0846B-HYH9/HYK0 SAMSUNG Memoria |
Especificación de la DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
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semiconductor de Samsung
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10000
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BTS780GP Tecnologías Infineon AG Controller de motor de corriente continua con escobillas |
TrilitIC
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Tecnologías Infineon
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10000
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27324 |
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Instrumentos de Texas
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10000
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
5V AGC AMPLIFIER + amplificador de vídeo
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Electrónica de Renesas
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10000
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El KLM8G1GEAC-C021 |
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semiconductor de Samsung
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10000
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El HS1101 |
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Sensirion
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10000
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Se trata de la STRY6765. |
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Sanken
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10000
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Decodificador de televisión de alta definición para transmisión digital con soporte PVR
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Semiconductor conexante
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10000
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E28F002BCT120: el uso de las mismas. |
28F002BC 2-MBIT (256K X 8) memoria flash de bloqueo de arranque
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Información
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10000
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TC4053BP |
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Semiconductor de Toshiba
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10000
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AO3415 |
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AOS / Alfa y Omega Semiconductor
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10000
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Receptor GNSS con eje de sensores integrado
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Broadcom limitado
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10000
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
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Kionix
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10000
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Se trata de un producto de fabricación de la Unión Europea. |
Codificador MPEG-2
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Semiconductor conexante
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10000
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El número de unidades de producción |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de la Unión se calcular
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Semiconductor de Toshiba
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10000
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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10000
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Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa. |
Cumplimiento RoHS, 135-175MHz 13W 12.5V, Amp de 2 etapas para radio móvil
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mitsubishi eléctrico
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10000
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MPC8543ECVJAQGD Microprocesadores con chip Igbt |
Microprocesadores - MPU FG PQ38 8543 Rev 3 sin plomo
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Freescale/NXP
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MPC8313ECZQAFFC NXP Semiconductores en escala libre |
Los microprocesadores - MPU 8313 REV2.2 PB
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Freescale/NXP
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MPC8245TVV300D Módulo de energía Igbt |
Microprocesadores - MPU HOST PROC integrado
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Freescale/NXP
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MPC8377EVRALGA controlador de módulo Igbt de alta potencia |
Microprocesadores - MPU 8377 PBGA ST PbFr W/ENC
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Freescale/NXP
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MPC8247VRTMFA NXP Semiconductores Semiconductores de escala libre |
Microprocesadores - MPU PQ27E A W/O TALITOS
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Freescale/NXP
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MPC8247CZQMIBA Semiconductores NXP |
Microprocesadores - MPU PQ27E A W/O TALITOS
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Freescale/NXP
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P1022NSN2MHB Distribuidor de componentes electrónicos controlador módulo Igbt |
Los microprocesadores - MPU 1200/480/800 ST NE R1.1
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Freescale/NXP
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MPC859TCVR100A NXP Semiconductores componentes electrónicos |
Microprocesadores - MPU PQ I HIP6W NO-PB
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Freescale/NXP
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P5040NSE7TMC NXP Unidades de microcontroladores Semicon MCU |
Microprocesadores - MPU SoC 4 X 1.8GHz DDR3/ 3Lw/PCIe 1/10GbE
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Freescale/NXP
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P2010NSN2MHC NXP Semiconductores y procesadores de comunicaciones |
Microprocesadores - MPU P2010 ST 1200/800 R2.1
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Freescale/NXP
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El módulo IGBT de seis paquetes de FS150R12KT4PB11BPSA1 1200V 150 A |
Modulo IGBT bajo PWR ECONO3-4
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Tecnologías Infineon
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FF900R12ME7B11NPSA1 Infineon Modulo IGBT doble 900A 1.5V |
Medium Power Economy (Economía de energía media)
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Tecnologías Infineon
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APT65GP60JDQ2 Productos de semiconductores discretos con tecnología de microchip |
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
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Tecnología de microchips
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APT200GT60JR Mouser de tecnología de microchip |
Se aplicará el método de conversión de la presión de los conductores.
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Tecnología de microchips
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FF900R12ME7B11BOSA1 Tecnologías Infineon doble IGBT 900 A 1200 V AG-ECONOD |
Se aplicará el método IGBT MOD 1200V 900A.
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Tecnologías Infineon
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FS50R12KT4B15BOSA1 Infineon módulo IGBT de seis paquetes |
El número de módulos de transmisión de la unidad IGBT será el siguiente:
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Tecnologías Infineon
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VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductors General |
Se aplican las siguientes medidas:
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General semiconductor - división de Vishay de los diodos
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Modulo SIP IGBT de semiconductores generales de VS-CPV362M4UPBF Vishay |
El módulo IGBT 600V 7.2A 23W IMS-2
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General semiconductor - división de Vishay de los diodos
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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Tecnologías Infineon módulos IGBT |
Potencia media
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Tecnologías Infineon
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FS150R12N2T7BPSA1 Tecnologías Infineon 150 A 1200 V Montura de chasis de módulo de 32 pines |
La energía de los motores de combustión interna es muy baja
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Tecnologías Infineon
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LTC4270AIUKG#PBF Dispositivos analógicos Tecnología lineal |
El número de puerto de acceso será el número de puerto de acceso.
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Tecnología lineal/dispositivos analógicos
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TPS2375PWG4 Texas Instruments Mouser Reino Unido |
IC CTRLR POE Alimentado por IEEE 8TSSOP
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Instrumentos de Texas
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Dispositivos analógicos MAX5988AETP+ Maxim integrado |
Los datos de los datos de los sistemas de control de la seguridad de los sistemas de control de la s
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Maxim integrado
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TPS2379DDA Instrumentos de Texas circuitos integrados IC |
Interfaces de interruptor de alimentación - Interfaz PD de alta potencia PoE / LAN PoE
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Instrumentos de Texas
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TPS23756PWPR Texas Instruments, donde se encuentra el banco de valores. |
Interfaz IC POE conmutador 20HTSSOP
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Instrumentos de Texas
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