IXYS
- Introducción
- Los productos más nuevos
Introducción
IXYS
La producción de semiconductores de potencia de IXYS Corporation consiste en transistores Power MOS (óxido metálico-silício) y bipolares de potencia.Estas series de productos convierten la electricidad de alto voltaje o corriente en energía regularLa producción de circuitos integrados de la empresa se utiliza para soluciones analógicas, de señal mixta y de interfaz digital en las comunicaciones, tales como relés de estado sólido (SSR), interruptores de acceso de tarjetas de línea (LCAS),LitelinkTM. Los semiconductores de potencia de RF convierten electricidad a altas velocidades para amplificación o recepción. Además, IXYS proporciona controladores de diodos láser, enlace directo de cobre (DCB).
Los productos más nuevos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | RFQ | |
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B |
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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El número de unidades de producción es: |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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El número de unidades de producción es: |
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
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VKI75-06P1 y sus componentes |
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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MDI145-12A3 |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
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MCC72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
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MCD44-14io8B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
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MCD250-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 800 V
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MCC26-14io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1400V
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MDD44-14N1B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
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VKM40-06P1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos 40 Amperios 600 V
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MCD72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
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MCD310-16io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
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ZY250 |
Módulos de semiconductores discretos con doble enchufe
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Muebles para el transporte de mercancías |
Módulos de semiconductores discretos de 30 Amperios 1200 V
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MDD26-18N1B |
Módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1800 V
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MCC72-12io1B |
Modulos de semiconductores discretos SCR 1200V, 72A
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos NPT IGBT 600V, 200A
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MCC72-12io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1200 V
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MCC250-12io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 1200 V
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IXGH17N100AU1 |
Transistores IGBT de 17 Amperios 1000V
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Se aplican las siguientes medidas: |
Transistores IGBT GenX3 Transistores IGBT de 1200 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IGBT Transistores IGBT, Diodo 1200V, 75A
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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. |
Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.8 Rds
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción |
Transistores IGBT 75 Amperios 1200V 3.3 Rds
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de 75 Amperes y 1200 V
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de la serie G A3/B3/C3
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción |
Transistores IGBT Dispositivo de alimentación de 15 kHz a 40 kHz
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.2 Rds
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