IXYS
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B |
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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El número de unidades de producción es: |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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El número de unidades de producción es: |
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
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VKI75-06P1 y sus componentes |
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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MDI145-12A3 |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
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MCC72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
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MCD44-14io8B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
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MCD250-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 800 V
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MCC26-14io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1400V
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MDD44-14N1B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
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VKM40-06P1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos 40 Amperios 600 V
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MCD72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
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MCD310-16io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
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ZY250 |
Módulos de semiconductores discretos con doble enchufe
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Muebles para el transporte de mercancías |
Módulos de semiconductores discretos de 30 Amperios 1200 V
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MDD26-18N1B |
Módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1800 V
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MCC72-12io1B |
Modulos de semiconductores discretos SCR 1200V, 72A
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos NPT IGBT 600V, 200A
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MCC72-12io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1200 V
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MCC250-12io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 1200 V
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IXGH17N100AU1 |
Transistores IGBT de 17 Amperios 1000V
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Se aplican las siguientes medidas: |
Transistores IGBT GenX3 Transistores IGBT de 1200 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IGBT Transistores IGBT, Diodo 1200V, 75A
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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. |
Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.8 Rds
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción |
Transistores IGBT 75 Amperios 1200V 3.3 Rds
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de 75 Amperes y 1200 V
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de la serie G A3/B3/C3
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción |
Transistores IGBT Dispositivo de alimentación de 15 kHz a 40 kHz
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.2 Rds
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IXBX50N360HV |
Transistores IGBT 3600V/125A con conducción inversa IGBT
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT 70 Amperios 1200 V 3,3 V Rds
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor |
Transistores IGBT de 150 A 600 V
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Se aplicará el método siguiente: |
Transistores IGBT
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Transistores IGBT 400 Amperios 300 V
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
Transistores IGBT 40 Amperios 1600 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de la zanja T2 de potencia MOSFET
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amperios 500V 0,16 Rds
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10.0 Amperios 600 V 0,74 Ohm Rds
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET de clase Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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El número de unidades de carga de la aeronave |
Diodos - fines generales, poder, diodos de la continuación que cambian
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DPG60C300QB: el número de unidades |
Diodos - fines generales, poder, cambiando 60 amperios de 300V
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DPG10I400PM y sus componentes. |
Diodos - fines generales, poder, cambiando 10 amperios de 400V
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