Se aplicará el procedimiento siguiente:
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
500 A
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Nombre comercial::
En el caso de los productos de la categoría 2
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
TO-268-3
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 175 C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
40 V
Embalaje::
El tubo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
3,5 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
1.6 MOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
20 V
Qg - Carga de la puerta::
405 después de Cristo
Fabricante::
IXYS
Introducción
El IXTT500N04T2, de IXYS, es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Imagen | parte # | Descripción | |
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![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
|
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
|
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: