El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 y otros componentes
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría de productos::
MOSFET
Vgs (máximo)::
± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.:
80A (Tc)
@ qty::
0
Tipo de FET::
N-canal
Tipo de montaje::
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs::
170nC @ 10V
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima::
1000
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido)::
10 V
Las existencias de la fábrica::
0
Temperatura de funcionamiento::
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica de las FET::
-
Serie::
OptiMOS™
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds::
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Paquete del dispositivo del proveedor::
PG-TO263-3-2
Estado de la parte::
No está disponible
Embalaje::
Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs::
4.8 mOhm @ 80A, 10V
Disposición de energía (máximo)::
300W (Tc)
Envase / estuche::
TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
Tecnología::
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id::
4V @ 250µA
Voltado de salida a la fuente (Vdss)::
55V
Introducción
El IPB80N06S205ATMA1, de Infineon Technologies, es un MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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