TPHR6503PL,L1Q y otros
fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET de 30 voltios en el canal N
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
150 A
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la SOP-Advance-8
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 175 C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
30 V
Embalaje::
El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
1.1 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
890 mOhms
Número de canales::
1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
20 V
Qg - Carga de la puerta::
110 nC
Fabricante::
Toshiba
Introducción
El TPHR6503PL,L1Q,de Toshiba,es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Las existencias:
Cuota de producción: