Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos.
fabricante:
Vishay Semiconductores
Descripción:
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Calificado
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
24 A
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Nombre comercial::
TrenchFET
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 175 C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
Las demás:
Embalaje::
El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
1,5 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
0.019 ohmios
Número de canales::
1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
+/- 20 V
Qg - Carga de la puerta::
30 nC
Fabricante::
Vishay Semiconductores
Introducción
El SQJ850EP-T1_GE3, de Vishay Semiconductors, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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