IPD127N06LGBTMA1
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A hasta el 252
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría de productos::
MOSFET
Vgs (máximo)::
± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.:
50A (Tc)
@ qty::
0
Tipo de FET::
N-canal
Tipo de montaje::
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs::
Se trata de un sistema de control de la energía.
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima::
2500
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido)::
4.5V y 10V
Las existencias de la fábrica::
0
Temperatura de funcionamiento::
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica de las FET::
-
Serie::
OptiMOS™
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds::
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Paquete del dispositivo del proveedor::
PG-TO252-3
Estado de la parte::
No para nuevos diseños
Embalaje::
Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs::
12.7 mOhm @ 50A, 10V
Disposición de energía (máximo)::
136W (Tc)
Envase / estuche::
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Tecnología::
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id::
2V @ 80μA
Voltado de salida a la fuente (Vdss)::
Las demás:
Introducción
El IPD127N06LGBTMA1, de Infineon Technologies, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Las existencias:
Cuota de producción: