Se aplicará el procedimiento de ensayo.
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET baja potencia_legado
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
12 A
Estilo de montaje::
A través del agujero
Nombre comercial::
CoolMOS
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
TO-220-3
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 150 °C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
Las demás:
Embalaje::
El tubo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
3,5 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
297 mOhms
Número de canales::
1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
20 V
Qg - Carga de la puerta::
22 nC
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Introducción
El IPP60R330P6XKSA1, de Infineon Technologies, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Las existencias:
Cuota de producción: