IPB80N03S4L-03
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
80A
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Nombre comercial::
OptiMOS
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
TO-263-3
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 175 C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
30 V
Embalaje::
El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
1 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
2 mOhms
Número de canales::
1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
16 V
Qg - Carga de la puerta::
140 nC
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Introducción
El IPB80N03S4L-03, de Infineon Technologies, es un MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Las existencias:
Cuota de producción: