El objetivo de las medidas de seguridad es:
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET 25V N-Ch único HEXFET PWR 50A
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
30 A, 30 A
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Nombre comercial::
FastIRFet
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
PQFN-8
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 150 °C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
25 V, 25 V
Embalaje::
El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
1.1 V, 1.1 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
40,6 mOhms, 2,1 mOhms
Número de canales::
2o canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
20 V, 20 V
Qg - Carga de la puerta::
10 y 23 de diciembre
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Introducción
El IRFH4255DTRPBF,de Infineon Technologies,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Cuota de producción: