TK14E65W,S1X y las demás
fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET MOSFET NCanal 0,22 ohm DTMOS
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Id - Corriente de drenaje continua::
13.7 A
Estilo de montaje::
A través del agujero
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
TO-220-3
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 150 °C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
650 V
Tecnología::
Si
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
2.5 V a 3,5 V
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
220 mOhms
Número de canales::
1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
30 V
Qg - Carga de la puerta::
35 nC
Fabricante::
Toshiba
Introducción
El TK14E65W,S1X,de Toshiba,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Cuota de producción: