El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría de productos::
MOSFET
Vgs (máximo)::
± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
@ qty::
0
Tipo de FET::
N-canal
Tipo de montaje::
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs::
20nC @ 4,5V
Fabricante::
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima::
1000
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido)::
4.5V y 10V
Las existencias de la fábrica::
0
Temperatura de funcionamiento::
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica de las FET::
-
Serie::
HEXFET®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds::
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Paquete del dispositivo del proveedor::
DIRECTFET™ SQ
Estado de la parte::
No está disponible
Embalaje::
Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs::
3.8 mOhm @ 19A, 10V
Disposición de energía (máximo)::
2.2W (TA), 42W (Tc)
Envase / estuche::
SQ isométrico de DirectFET™
Tecnología::
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id::
2.35V @ 25μA
Voltado de salida a la fuente (Vdss)::
25 V
Introducción
El IRF6711STR1PBF,de Infineon Technologies,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Las existencias:
Cuota de producción: