Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie M 650 V, 120 A baja pérdida
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Corriente de fuga del emisor de la puerta::
+/- 250 uA
Categoría de productos::
Transistores IGBT
Estilo de montaje::
A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C::
160 A
Paladio - disipación de poder::
625 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo::
650 V
Envase / estuche::
El MAX-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta::
+/- 20 V
Configuración::
No casado
Voltado de saturación del colector emisor::
1,65 V
Fabricante::
STMicroelectrónica
Introducción
El STGYA120M65DF2, de STMicroelectronics, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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