NTE65
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):
30 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN (número de origen)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
5GHz
Paquete:
El bolso
Serie:
-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-SMD
El Sr.:
NTE Electronics, Inc
Figura de ruido (dB Tipo @ f):
2Se trata de un sistema de control de velocidad.
Potencia - máximo:
180 mW
Ganancias:
18dB
Envase / estuche:
3-SMD, ventaja plana
Temperatura de funcionamiento:
-
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
25 @ 14mA, 10V
Introducción
Transistores de RF NPN 15V 30mA 5GHz 180mW Montaje de superficie 3-SMD
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Imagen | parte # | Descripción | |
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NTE55MCP |
RF TRANS PNP 30MHZ TO220 PAIR
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NTE55 |
RF TRANS PNP 150V 30MHZ TO220
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Se trata de la MMBT918 |
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
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