Se aplicarán los siguientes requisitos:
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
Transmisión por RF NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo):
50 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN (número de origen)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
650MHz
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
25 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
El Sr.:
Diodos incorporados
Figura de ruido (dB Tipo @ f):
-
Potencia - máximo:
300 mW
Ganancias:
-
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 4mA, 10V
Número del producto de base:
MMBTH10
Introducción
Transistor de RF NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Montado de superficie SOT-23-3
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Las existencias:
Cuota de producción: