DXTN3C100PDQ-13 y sus componentes
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
El transistor de bajo saturación de SS PowerDI506
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
3A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN (duales)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
130MHz
Paquete:
En bruto
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision
El Sr.:
Diodos incorporados
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA
Potencia - máximo:
1.47W
Envase / estuche:
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable
Número del producto de base:
DXTN3C100
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 100V 3A 130MHz 1.47W PowerDI5060-8 (tipo UXD) de montaje de superficie
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