Se aplicará el procedimiento siguiente:
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
100 MHz
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 100mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
65V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-363.
El Sr.:
Co comercial micro
Corriente - límite del colector (máximo):
15nA (ICBO)
Potencia - máximo:
200mw
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Número del producto de base:
BC846
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN 65V 100mA 100MHz 200mW Montaje de superficie SOT-363
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Imagen | parte # | Descripción | |
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![]() |
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Interface
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
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