2N3811
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
50 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
2 PNP (doble)
Tipo de montaje:
A través del agujero
Frecuencia - Transición:
100 MHz
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-78-6
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Corriente - límite del colector (máximo):
10nA (ICBO)
Potencia - máximo:
600 mW
Envase / estuche:
El metal TO-78-6 puede
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
300 @ 1mA, 5V
Número del producto de base:
2N380
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW a través del agujero TO-78-6
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TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

Se trata de la MD7003B.
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Imagen | parte # | Descripción | |
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2N2915 |
TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
TRANSISTOR NPN QUAD SMD
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2N2915A |
TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
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Se trata de la MD7003B. |
TRANS 2PNP 50MA 40V TO78-6
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