NSS40301MDR2G: el número de unidades de seguridad de las que se trate.
fabricante:
en semi
Descripción:
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
3A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN (duales)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
100 MHz
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
40 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
El Sr.:
en semi
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
653 mW
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
NSS40301 Las condiciones de los requisitos de seguridad
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Montaje de superficie 8-SOIC
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