BCR135SH6327XTSA1 y sus componentes
fabricante:
Tecnologías Infineon
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
La última vez que compré
Tipo de transistor:
2 NPN - Pre-sesgado (doble)
Frecuencia - Transición:
150 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El contenido de la sustancia activa en el producto no debe exceder el 30% del contenido de la sustan
Resistencia - Base (R1):
10kOhmios
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
-
Potencia - máximo:
250mW
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
BCR135S
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) 2 NPN - Pre-biasado (doble) 50V 100mA 150MHz 250mW Monte de superficie PG-SOT363-PO
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad. |
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Cuota de producción: