Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de evaluación.
fabricante:
Corporación Microsemi
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de la luz de la luz de la luz.
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
220 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP6
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 180A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
SP6
El Sr.:
Corporación Microsemi
Temperatura de funcionamiento:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
300 µA
Tipo de IGBT:
El TNP
Potencia - máximo:
833 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
8.6 nF @ 25 V
Configuración:
Puente asimétrico
El termistor NTC:
- No, no lo sé.
Introducción
Modulo IGBT NPT Puente asimétrico 600 V 220 A 833 W Montura del chasis SP6
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
IGBT MODULE 1200V 130A 780W SP3
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Las existencias:
Cuota de producción: