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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2.

fabricante:
General semiconductor - división de Vishay de los diodos
Descripción:
El módulo IGBT 600V 114A 658W MTP
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
114 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Modulo 12-MTP
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
MTP
El Sr.:
General semiconductor - división de Vishay de los diodos
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
µA 400
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
658 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
7.1 nF @ 30 V
Configuración:
Medio puente
El termistor NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
50MT060
Introducción
Modulo IGBT Puente medio 600 V 114 A 658 W Montura del chasis MTP
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: