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FP50R07U1E4BPSA1

fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El módulo IGBT 650V 75A 230W
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
EconoPIM™ 2
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.95V @ 15V, 50A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
650 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
230 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
3.1 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
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Introducción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 650 V 75 A 230 W Módulo de montaje del chasis
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