Los datos de las pruebas de detección se utilizarán en el ensayo.
fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
El módulo IGBT 1200V 40A 208W SP1
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
40 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Sección 1
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 25A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Sección 1
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
El TNP
Potencia - máximo:
208,0 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
1.65 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor lleno del puente
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Introducción
Módulo IGBT NPT Inversor de puente completo 1200 V 40 A 208 W Montura del chasis SP1
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.
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Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.
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Las existencias:
Cuota de producción: