Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
Procesadores - Microcontroladores BL especializados en aplicaciones
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Freescale/NXP
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Procesadores - Microcontroladores BL especializados en aplicaciones
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Freescale/NXP
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En el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2 |
Procesadores - Microcontroladores BL especializados en aplicaciones
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Freescale/NXP
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Procesadores - Aplicación Especializada 10G PHY D 4x4mm
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Atmel/tecnología del microchip
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El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero está diseñado para: |
Procesadores - el uso se especializó
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NXP Semiconductors
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MC9328MXLVP15 |
Procesadores - Aplicación Especialista en Dragonball MXL 225 PB-FR
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Freescale/NXP
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Procesadores - Aplicaciones especializadas HiRel y OMAP3525
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Instrumentos de Texas
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Se aplicará el método de clasificación de los vehículos de las categorías A y B. |
Procesadores - Microcontroladores BL especializados en aplicaciones
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Freescale/NXP
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos de semiconductores discretos Modulo de diodo rectificador 1200V 89A
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Tecnologías Infineon
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MCC72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
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IXYS
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MCD44-14io8B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
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IXYS
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MCD250-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 800 V
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IXYS
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MCC26-14io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1400V
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IXYS
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Modulos de semiconductores discretos Modulo de diodo rectificador 1600V 89A
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Tecnologías Infineon
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El DD170N16S |
Modulos de semiconductores discretos Diodo rectificador de unión de soldadura de 34 mm
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Tecnologías Infineon
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MDD44-14N1B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
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IXYS
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TZ630N24KOF |
Módulos de semiconductores discretos 2800V 1500A
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Tecnologías Infineon
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VKM40-06P1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos 40 Amperios 600 V
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos de 1400 V a 160 A
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Tecnologías Infineon
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MCD72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
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IXYS
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MCD310-16io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
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IXYS
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ZY250 |
Módulos de semiconductores discretos con doble enchufe
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 900A DUAL
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Tecnologías Infineon
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DZ435N40K |
Módulos discretos del semiconductor
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Tecnologías Infineon
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Muebles para el transporte de mercancías |
Módulos de semiconductores discretos de 30 Amperios 1200 V
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IXYS
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MDD26-18N1B |
Módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1800 V
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IXYS
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MCC72-12io1B |
Modulos de semiconductores discretos SCR 1200V, 72A
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IXYS
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El DD700N22K |
Módulos discretos del semiconductor
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos NPT IGBT 600V, 200A
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IXYS
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DZ540N20K |
Modulos de semiconductores discretos 2000V 1150A
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Tecnologías Infineon
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MCC72-12io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1200 V
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IXYS
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MCC250-12io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 1200 V
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IXYS
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V61-14.100NS |
Módulos discretos del semiconductor
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Tecnologías Infineon
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2SC5086-O,LF, para el tratamiento de las sustancias químicas |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Semiconductor de Toshiba
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MT3S113TU,LF |
RF SIGE HETEROJUNCCIÓN BIPOLAR N
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Semiconductor de Toshiba
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Técnico en el tratamiento de la fibra de vidrio
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Los demás componentes
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2SC5227A-4-TB-E |
Transmisión de radio de alta frecuencia
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en semi
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En el caso de los productos de las categorías IIa y IIIa, el valor de las categorías IIa y IIIb será el mismo. |
Transmisión PNP RF 15V SOT-23
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos. |
Transmisión VHF/UHF NPN 25V SOT23
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en semi
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la e
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Se trata de un transistor NPN RF de 12 V SOT-143.
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Se trata de un transistor de circuito integrado con una frecuencia de radio NPN SOT343-4
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Tecnologías Infineon
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MCH4015-TL-H |
Transmisión NPN 12V 100MA MCPH4
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en semi
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión por radio NPN 4V 50MA SOT343
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Tecnologías Infineon
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BFP410 H6327 |
Transmisión RF NPN 25GHz 4.5V SOT343
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Transmisión de la energía de la unidad NPN
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en semi
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BFP760 H6327 |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la e
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transmisión por radio NPN 4V 150MA SOT343
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
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en semi
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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en semi
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