Filtros
Filtros
Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
6PS04512E43W39693 El equipo de la oficina de la oficina de la oficina |
Módulos de IGBT
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
En el caso de las personas que se encuentran en una situación de riesgo, el riesgo es el de que se encuentren en situación de riesgo. |
Módulos de IGBT
|
SEMIKRON
|
|
|
|
|
|
IRG7PK42UD1PBF |
IGBT 1200V MUEREN
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B serán las siguientes: |
Clasificación de IGBT 1200V discreto
|
Fuji eléctrico
|
|
|
|
|
|
IRGS4607DTRRPBF |
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Modelos IGBT Módulo IGBT
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán ser las siguientes: |
Módulos de IGBT
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
BC817-16LT1G |
Transistores bipolares - BJT 500mA 50V NPN
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT NPN 20V con una alta ganancia
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DPLS160V-7 |
Transistores bipolares - BJT PNP.3W
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
MJE15034G |
Transistores bipolares - BJT 4A 350V 50W NPN
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
Transistores bipolares - BJT NPN BIPOLAR
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores bipolares - BJT 100mA 30V NPN
|
en semi
|
|
|
|
|
|
FCX690BTA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alta ganancia
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT con doble coincidencia PNP XSTR 45V
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
|
en semi
|
|
|
|
|
|
BCP54, ¿qué quieres decir?115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 1A 50V NPN
|
en semi
|
|
|
|
|
|
2SD1766T100R: el número de unidad |
|
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
|
|
|
|
|
|
2DD1664P-13 |
Transistores bipolares - BJT 1000W 32Vceo
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
2SC3837KT146P: el contenido de la sustancia |
Transistores bipolares - BJT NPN 20V 50MA
|
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente:115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
MJD42CG |
Transistores bipolares - BJT 6A 100V 20W PNP
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR SPCL TR
|
en semi
|
|
|
|
|
|
2SD2098T100S: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
|
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
|
|
|
|
|
|
en el caso de los vehículos de las categorías M1 y M2215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2SA1774G. |
|
en semi
|
|
|
|
|
|
PBSS4032SP,115 |
Transistores bipolares - BJT PNP doble -30V -4.8A 0,73W 115MHz
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
MCH5541-TL-E |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP+NPN 0,7A 30V
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores bipolares - BJT de transistores
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
2SD2696T2L: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
|
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
|
|
|
|
|
|
DXT5551-13 |
Transistores bipolares - BJT 1W 160V
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 20V PNP SuperSOT4
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
BCP56-16, en el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo.135 |
Transistores bipolares - BJT TRANS MED PWR TAPE13 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2SC4027T-H |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 1.5A 160V
|
en semi
|
|
|
|
|
|
DNLS320E-13 (en inglés) |
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
MJD340RLG |
Transistores bipolares - BJT 0.5A 300V 15W NPN
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
|
en semi
|
|
|
|
|
|
ZTX788ASTZ |
Transistores bipolares - BJT PNP Super E-Line
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
BST51, ¿qué quieres decir?135 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PBSS4540X,135 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
con una capacidad de carga superior a 20 kW,115 |
Transistores bipolares - BJT 100V 5.2A NPN bajo VCESAT
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistores bipolares - BJT NPN 45 V 100 mA
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
2SC5659T2LN: el contenido de agua en el agua |
Transistores bipolares - BJT NPN 25V 50MA
|
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
|
|
|
|
|
|
PMP5201Y,115 |
Transistores bipolares - Pareja de transistores BJT
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2SC5242-R ((Q)) |
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
ZTX1147A |
Transistores bipolares - BJT PNP de alta ganancia y crnt
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
2SB1590KT146Q: el contenido de agua en el agua |
|
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
|
|
|