Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Puerta 1.0V
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Tecnología::
Si
Id - Corriente de drenaje continua::
900 mA
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento::
- 55 C
Envase / estuche::
U-DFN1212-3 y sus derivados
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 150 °C
Modo de canal::
Aumento
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
20 V
Embalaje::
El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta::
450 milivoltio
Categoría de productos::
MOSFET
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje::
350 mOhms
Número de canales::
1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta::
12 V
Qg - Carga de la puerta::
PC 500
Fabricante::
Diodos incorporados
Introducción
El DMN2400UFDQ-7, de Diodes Incorporated, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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