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Se trata de un documento de identificación.

fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E: el número de módulos y el número de módulos y el número de módulos
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría de productos::
MOSFET
Vgs (máximo)::
±8V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.:
11A (TA)
@ qty::
0
Tipo de FET::
N-canal
Tipo de montaje::
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs::
50.6nC @ 8V
Fabricante::
Diodos incorporados
Cantidad mínima::
3000
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido)::
1.2V, 4.5V
Las existencias de la fábrica::
0
Temperatura de funcionamiento::
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica de las FET::
-
Serie::
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds::
2425pF @ 10V
Paquete del dispositivo del proveedor::
U-DFN2020-6 (tipo E)
Estado de la parte::
Actividad
Embalaje::
Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs::
10 mOhm @ 9,7A, 4,5 V
Disposición de energía (máximo)::
690 mW (Ta)
Envase / estuche::
6-UDFN expuso el cojín
Tecnología::
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id::
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles
Voltado de salida a la fuente (Vdss)::
12 V
Introducción
El DMN1019UFDE-7, de Diodes Incorporated, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Las existencias:
Cuota de producción: