Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
600 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN, PNP
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
-
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/421 El uso de armas de fuego
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se considerarán en el caso de l
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
40 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
6-SMD
El Sr.:
Tecnología de microchips
Corriente - límite del colector (máximo):
10 μA (ICBO)
Potencia - máximo:
600 mW
Envase / estuche:
6-SMD, sin plomo
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA, 10V
Número del producto de base:
2N4854
Introducción
Transistor bipolar (BJT) NPN, PNP 40V 600mA 600mW Superficie de montaje 6-SMD
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Imagen | parte # | Descripción | |
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