No puedo.
fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
Transistor de NPN
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
600 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 PNP (doble)
Tipo de montaje:
A través del agujero
Frecuencia - Transición:
-
Paquete:
En bruto
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/496 El uso de armas de fuego
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-78-6
El Sr.:
Tecnología de microchips
Corriente - límite del colector (máximo):
10 μA (ICBO)
Potencia - máximo:
600 mW
Envase / estuche:
El metal TO-78-6 puede
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA, 10V
Número del producto de base:
2N5796
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW a través del agujero TO-78-6
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