PUMH2/DG/B3,115
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
2 NPN - Pre-sesgado (doble)
Frecuencia - Transición:
230MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
6-TSSOP
Resistencia - Base (R1):
47 kOhms
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
PUMH2
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) 2 NPN - Pre-biasado (doble) 50V 100mA 230MHz 300mW Monte de superficie 6-TSSOP
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No se puede
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PUMH1/DG/B3,115
No se puede utilizar.
PEMH14.115
PEMD4,115
No obstante lo dispuesto en el apartado 1,
PUMH13, ¿qué quieres decir?115
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