las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de transistor:
1 NPN, 1 PNP - Previado (doble)
Frecuencia - Transición:
-
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-666
Resistencia - Base (R1):
10kOhmios
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
-
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
200 @ 1mA, 5V
Número del producto de base:
PEMD4
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-biasado (doble) 50V 100mA 300mW Monte de superficie SOT-666
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No se puede

PEMB10,115

PUMH1/DG/B3,115

No se puede utilizar.

PEMH14.115

No obstante lo dispuesto en el apartado 1,

PUMH2/DG/B3,115

PUMH13, ¿qué quieres decir?115

PUMH9,125
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