En casa > productos > Semiconductores > En el caso de los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor

En el caso de los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor

fabricante:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN - Pre-sesgado (doble)
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
ES6
Resistencia - Base (R1):
22 kOhms
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
100mW
Envase / estuche:
La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número del producto de base:
RN1908
Introducción
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Montado de superficie pre-biasado (doble) 50V 100mA 250MHz 100mW ES6
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: