RN1906, LF(CT
fabricante:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Categoría:
Semiconductores
las especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN - Pre-sesgado (doble)
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
US6
Resistencia - Base (R1):
4.7 kOhms
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
200mw
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número del producto de base:
RN1906
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) 2 NPN - Pre-biasado (doble) 50V 100mA 250MHz 200mW Montaje de superficie US6
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Las existencias:
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