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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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2SC5086-O,LF, para el tratamiento de las sustancias químicas |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Semiconductor de Toshiba
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MT3S113TU,LF |
RF SIGE HETEROJUNCCIÓN BIPOLAR N
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Semiconductor de Toshiba
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Técnico en el tratamiento de la fibra de vidrio
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Los demás componentes
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2SC5227A-4-TB-E |
Transmisión de radio de alta frecuencia
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en semi
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En el caso de los productos de las categorías IIa y IIIa, el valor de las categorías IIa y IIIb será el mismo. |
Transmisión PNP RF 15V SOT-23
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos. |
Transmisión VHF/UHF NPN 25V SOT23
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en semi
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la e
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Se trata de un transistor NPN RF de 12 V SOT-143.
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Se trata de un transistor de circuito integrado con una frecuencia de radio NPN SOT343-4
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Tecnologías Infineon
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MCH4015-TL-H |
Transmisión NPN 12V 100MA MCPH4
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en semi
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión por radio NPN 4V 50MA SOT343
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Tecnologías Infineon
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BFP410 H6327 |
Transmisión RF NPN 25GHz 4.5V SOT343
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Transmisión de la energía de la unidad NPN
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en semi
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BFP760 H6327 |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la e
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transmisión por radio NPN 4V 150MA SOT343
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
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en semi
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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en semi
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Transmisión por radio NPN 12V 20MA SOT323
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión por radio NPN 2.3V 80MA SOT343
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Tecnologías Infineon
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BF776 H6327 |
Transmisión RF NPN 1.8 GHz 4.0V SOT343
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión RF NPN 42 GHz 4.5V 4TSFP
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Tecnologías Infineon
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BFR93AE6327HTSA1 |
Transistores de radio NPN 12V SOT-23
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV. |
Transistores BIP de RF
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Transmisión de energía eléctrica
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en semi
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Se trata de la MMBTH81. |
Se trata de un transistor de radio PNP SOT-23.
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en semi
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT
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Tecnologías Infineon
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FGL60N100BNTDTU |
Transistores IGBT de alta potencia
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Semiconductor Fairchild
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores IGBT IGBT
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Electrónica de Renesas
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
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Tecnologías Infineon
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El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control será el siguiente: |
Transistores IGBT IGBT 600V 5A
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Electrónica de Renesas
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IXGH17N100AU1 |
Transistores IGBT de 17 Amperios 1000V
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IXYS
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Se aplican las siguientes medidas: |
Transistores IGBT GenX3 Transistores IGBT de 1200 V
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IXYS
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RJH60D7ADPK-00#T0 |
Transistores IGBT IGBT
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Electrónica de Renesas
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidade |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 10A
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Tecnologías Infineon
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IRG4PH30KPBF |
Transistores IGBT de 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ IGBT no conectado
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IR / Infineon
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IRGP4620DPBF |
Transistores IGBT de 600 V TRENCH IGBT ULTRAFAST Las transistores IGBT de 600 V se encuentran en la
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IR / Infineon
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IRG4PF50WPBF |
Transistores IGBT de 900 V con velocidad de curvatura de 20-100 kHz
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IGBT Transistores IGBT, Diodo 1200V, 75A
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IXYS
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IGW50N65F5FKSA1 |
PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método siguiente: |
Transistores IGBT de alta velocidad 2 TECH 1200V 3A
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Tecnologías Infineon
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IKP40N65F5XKSA1 |
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Tecnologías Infineon
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IRG4BC30FD-SPBF |
Transistores IGBT 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT
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IR / Infineon
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IRG4PH40UDPBF |
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. |
Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.8 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción |
Transistores IGBT 75 Amperios 1200V 3.3 Rds
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IXYS
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT y bipolares de potencia
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie M 650 V, 120 A baja pérdida
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STMicroelectrónica
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT de 75 Amperes y 1200 V
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IXYS
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IRGP4062-EPBF |
Transistores IGBT IR IGBT 600V 600V 24A a 247AD
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IR / Infineon
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