Semiconductores discretos, Buscando Semiconductores discretos Proveedor en línea

parte #	Descripción	fabricante
IRG4BC30WPBF		Tecnologías Infineon
IGW40N65F5FKSA1		Tecnologías Infineon
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT	Tecnologías Infineon
El número de unidades de producción es el siguiente:	Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.2 Rds	IXYS
FGH75N60UFTU	Transistores IGBT N-CH / 600V 75A FS Planar	Semiconductor Fairchild
FGB3040CS: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.	Transistores IGBT IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign	Semiconductor Fairchild
IXBX50N360HV	Transistores IGBT 3600V/125A con conducción inversa IGBT	IXYS
STGW30H60DLFB	Transistores IGBT y bipolares de potencia	STMicroelectrónica
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - PT Power MOS 8 - Combi	Las demás
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	Transistores IGBT de 600 V LO-VCEON NO PNCH a través de IGBT COPCK	Tecnologías Infineon
El número de unidad de control será el número de unidad de control.	Transistores IGBT IGBT	Electrónica de Renesas
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - parada de campo de baja frecuencia - Co	Las demás
IKW08T120	Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 1200V 8A	Tecnologías Infineon
IRGP4740DPBF	Transistores IGBT 650V Ultra Rápido IGBT TO-247	IR / Infineon
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades	Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 20A	Tecnologías Infineon
APT65GP60L2DQ2G	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - PT Power MOS 7 - Combi	Las demás
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades	Transistores IGBT 600V/30A IGBT LPT TO-247 también incluidos	en semi
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	Transistores IGBT de 650 V IGBT Trenchstop 5	Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT 70 Amperios 1200 V 3,3 V Rds	IXYS
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	Transistores IGBT FSII 25A 1200V Soldadura	en semi
IGW60T120		Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.		STMicroelectrónica
IRG4PF50WDPBF		Tecnologías Infineon
APT35GA90B	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - PT Power MOS 8 - único	Las demás
Se aplicará el método de ensayo de la prueba de la prueba de la prueba de la prueba.	Transistores IGBT IGBT	Electrónica de Renesas
IRG4PH50UDPBF		Tecnologías Infineon
GT30J121 ((Q)	Transistores IGBT 600V/30A DIS	Toshiba
IKW50N60H3FKSA1		Tecnologías Infineon
STGF3NC120HD	Transistores IGBT N-Ch 1200 Volt 3 Amp	STMicroelectrónica
FGH40T120SMDL4		Semiconductor Fairchild
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el anexo I.	Transistores IGBT 1200V/25 FAST IGBT sólo F	en semi
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor	Transistores IGBT de 150 A 600 V	IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT y bipolares de potencia	STMicroelectrónica
HGTG40N60A4	Transistores IGBT de 600 V de canal N de la serie IGBT SMPS	Semiconductor Fairchild
Las condiciones de los vehículos de la categoría M2	Transistores IGBT de alta velocidad NPT TECH 600V 20A	Tecnologías Infineon
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.	Transistores IGBT IGBT 1200V 40A FS3 baja frecuencia	en semi
El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente:	PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT	Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Transistores IGBT Productos IGBT TrenchStop	Tecnologías Infineon
FGA15N120ANTDTU	Transistores IGBT de 1200 V con conductor de luz no refractado	Semiconductor Fairchild
Las condiciones de los productos deben ser las siguientes:	Transistores IGBT muestras de ingeniería	Tecnologías Infineon
Se aplicará el método siguiente:	Transistores IGBT	IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	Transistores IGBT 400 Amperios 300 V	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor	Transistores IGBT 40 Amperios 1600 V	IXYS
IRG7PH30K10PBF	Transistores IGBT Trincado IGBT 1200V 10A IGBT único	IR / Infineon
APT70GR65B	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - Potencia MOS 8	Las demás
El número de unidades de producción es:	Transistores IGBT Productos IGBT TrenchStop 5	Tecnologías Infineon
El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.		IR / Infineon
IRG7PH44K10DPBF	Transistores IGBT 1200V UltraRápido 4-20kHz Copack IGBT	IR / Infineon
El objetivo de las medidas es:	PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT	Tecnologías Infineon
HGTG20N60A4D	Transistores IGBT de 600 V	Semiconductor Fairchild

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