Semiconductores discretos, Buscando Semiconductores discretos Proveedor en línea

parte #	Descripción	fabricante
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.	PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT	Tecnologías Infineon
FGL60N100BNTDTU	Transistores IGBT de alta potencia	Semiconductor Fairchild
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Transistores IGBT IGBT	Electrónica de Renesas
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.		Tecnologías Infineon
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control será el siguiente:	Transistores IGBT IGBT 600V 5A	Electrónica de Renesas
IXGH17N100AU1	Transistores IGBT de 17 Amperios 1000V	IXYS
Se aplican las siguientes medidas:	Transistores IGBT GenX3 Transistores IGBT de 1200 V	IXYS
RJH60D7ADPK-00#T0	Transistores IGBT IGBT	Electrónica de Renesas
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidade	Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 10A	Tecnologías Infineon
IRG4PH30KPBF	Transistores IGBT de 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ IGBT no conectado	IR / Infineon
IRGP4620DPBF	Transistores IGBT de 600 V TRENCH IGBT ULTRAFAST Las transistores IGBT de 600 V se encuentran en la	IR / Infineon
IRG4PF50WPBF	Transistores IGBT de 900 V con velocidad de curvatura de 20-100 kHz	Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:	IGBT Transistores IGBT, Diodo 1200V, 75A	IXYS
IGW50N65F5FKSA1	PRODUCTOS de los transistores IGBT de IGBT	Tecnologías Infineon
Se aplicará el método siguiente:	Transistores IGBT de alta velocidad 2 TECH 1200V 3A	Tecnologías Infineon
IKP40N65F5XKSA1		Tecnologías Infineon
IRG4BC30FD-SPBF	Transistores IGBT 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT	IR / Infineon
IRG4PH40UDPBF		Tecnologías Infineon
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Transistores IGBT 30 Amperios 1200V 3.8 Rds	IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción	Transistores IGBT 75 Amperios 1200V 3.3 Rds	IXYS
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades		Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT y bipolares de potencia	STMicroelectrónica
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie M 650 V, 120 A baja pérdida	STMicroelectrónica
El número de unidades de producción es el siguiente:	Transistores IGBT de 75 Amperes y 1200 V	IXYS
IRGP4062-EPBF	Transistores IGBT IR IGBT 600V 600V 24A a 247AD	IR / Infineon
Apte35GP120J	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - PT Power MOS 7 - único	Las demás
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT 600V/60A IGBT LPT a las 247	en semi
IRG4PC40KDPBF y sus componentes		Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT y bipolares de potencia	STMicroelectrónica
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Transistores IGBT 650V FS Gen3 IGBT de zanja	Semiconductor Fairchild
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Transistores IGBT y bipolares de potencia	STMicroelectrónica
IKP20N60T		Tecnologías Infineon
IRG4RC10UDTRLP		IR / Infineon
IRG4PC40SPBF	Transistores IGBT 600V DC-1 KHZ (STD) IGBT discreto	IR / Infineon
Los resultados de las pruebas de detección se calcularán en función de los resultados de las pruebas de detección realizadas.		Electrónica de Renesas
Se trata de una serie de medidas de control de las emisiones.	Transistores IGBT 650V/75 FAST IGBT FSII hasta	en semi
IRGPS66160DPBF		Tecnologías Infineon
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	Transistores IGBT con bajas pérdidas TECH IGBT 1200V 15A	Tecnologías Infineon
FGA30T65SHD: el número de unidad	Transistores IGBT 650V FS Gen3 IGBT de zanja	Semiconductor Fairchild
El número de unidades de producción es el siguiente:	Transistores IGBT de la serie G A3/B3/C3	IXYS
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.	Transistores IGBT SMART IGBT	Semiconductor Fairchild
Se aplicarán las siguientes medidas:	Transistores IGBT para automóviles 600V Ultra TO-220	IR / Infineon
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Transistores IGBT 1000V 40A FS TIGBT	Semiconductor Fairchild
IRGP4660DPBF		IR / Infineon
SGP30N60HS	Transistores IGBT de alta velocidad NPT TECH 600V 30A	Tecnologías Infineon
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	Transistores IGBT	STMicroelectrónica
STGW60V60F	Transistores IGBT 600V 60A Puerta de zanja 1.8V Vce IGBT	STMicroelectrónica
APT75GN60BG	Transistores IGBT Transistores bipolares de puerta aislada - parada de campo de baja frecuencia - ún	Las demás
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción	Transistores IGBT Dispositivo de alimentación de 15 kHz a 40 kHz	IXYS
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.	Transistores IGBT IGBT	Electrónica de Renesas

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