Filtros
Filtros
Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos de semiconductores discretos Modulo de diodo rectificador 1200V 89A
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
MCC72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MCD44-14io8B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MCD250-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 800 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MCC26-14io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1400V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Modulos de semiconductores discretos Modulo de diodo rectificador 1600V 89A
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
El DD170N16S |
Modulos de semiconductores discretos Diodo rectificador de unión de soldadura de 34 mm
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
MDD44-14N1B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
TZ630N24KOF |
Módulos de semiconductores discretos 2800V 1500A
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
VKM40-06P1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos 40 Amperios 600 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos de 1400 V a 160 A
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
MCD72-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1800 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MCD310-16io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
ZY250 |
Módulos de semiconductores discretos con doble enchufe
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 900A DUAL
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
DZ435N40K |
Módulos discretos del semiconductor
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Muebles para el transporte de mercancías |
Módulos de semiconductores discretos de 30 Amperios 1200 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MDD26-18N1B |
Módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1800 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MCC72-12io1B |
Modulos de semiconductores discretos SCR 1200V, 72A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
El DD700N22K |
Módulos discretos del semiconductor
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos NPT IGBT 600V, 200A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DZ540N20K |
Modulos de semiconductores discretos 2000V 1150A
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
MCC72-12io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1200 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MCC250-12io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 1200 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
V61-14.100NS |
Módulos discretos del semiconductor
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
2SC5086-O,LF, para el tratamiento de las sustancias químicas |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
|
Semiconductor de Toshiba
|
|
|
|
|
|
MT3S113TU,LF |
RF SIGE HETEROJUNCCIÓN BIPOLAR N
|
Semiconductor de Toshiba
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Técnico en el tratamiento de la fibra de vidrio
|
Los demás componentes
|
|
|
|
|
|
2SC5227A-4-TB-E |
Transmisión de radio de alta frecuencia
|
en semi
|
|
|
|
|
|
En el caso de los productos de las categorías IIa y IIIa, el valor de las categorías IIa y IIIb será el mismo. |
Transmisión PNP RF 15V SOT-23
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos. |
Transmisión VHF/UHF NPN 25V SOT23
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la e
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Se trata de un transistor NPN RF de 12 V SOT-143.
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Se trata de un transistor de circuito integrado con una frecuencia de radio NPN SOT343-4
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
MCH4015-TL-H |
Transmisión NPN 12V 100MA MCPH4
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión por radio NPN 4V 50MA SOT343
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
BFP410 H6327 |
Transmisión RF NPN 25GHz 4.5V SOT343
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Transmisión de la energía de la unidad NPN
|
en semi
|
|
|
|
|
|
BFP760 H6327 |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la e
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transmisión por radio NPN 4V 150MA SOT343
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Transmisión por radio NPN 12V 20MA SOT323
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión por radio NPN 2.3V 80MA SOT343
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
BF776 H6327 |
Transmisión RF NPN 1.8 GHz 4.0V SOT343
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
Transmisión RF NPN 42 GHz 4.5V 4TSFP
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
BFR93AE6327HTSA1 |
Transistores de radio NPN 12V SOT-23
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV. |
Transistores BIP de RF
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Transmisión de energía eléctrica
|
en semi
|
|
|
|
|
|
Se trata de la MMBTH81. |
Se trata de un transistor de radio PNP SOT-23.
|
en semi
|
|
|