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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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DTC143ZUAT106 |
Transistores bipolares - NPN 50V 100MA SOT-323 pre-biasado
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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DTA143XETL |
Transistores bipolares - PNP pre-biasado 50V 100MA
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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PDTD143ETR: el número de unidades de producción |
Transistores bipolares - Pre-biasados con resistencia NPN de 500 mA y 50 V
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Nexperia
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En el caso de los productos de la categoría N2O, el número de la categoría N2O será el siguiente: |
Transistores bipolares - Pre-biasado SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
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en semi
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DTA144EM3T5G y sus componentes |
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en semi
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UMA10NTR |
Transistores bipolares - PNP doble pre-biasado 50V 100MA
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - NPN doble pre-biasado 50V 100MA
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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Las condiciones de los certificados de conformidad con el presente Reglamento son las siguientes: |
Transistores bipolares - SS BR XSTR SPCL TR pre-biasado
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en semi
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PUMB15, ¿qué quieres decir?115 |
Transistores bipolares - TRNS pre-biasado con doble cinta RET7
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Nexperia
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - SS BR XSTR pre-biasado con doble voltaje de 50 V
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en semi
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FMA3AT148 y las demás especificaciones |
Transistores bipolares - PNP doble pre-biasado 50V 100MA
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores bipolares - Pre-biasados con resistencia NPN de 500 mA y 50 V
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Nexperia
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
Transistores bipolares - Transistores pre-biasados SOT-1123 PBRT
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en semi
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - Pre-biasado 100mA 50V BRT PNP
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en semi
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BCR 142W H6327 y el resto de los productos |
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Tecnologías Infineon
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RN2111MFV,L3F |
Transistores bipolares - Resistores de sesgo pre-biasados Transistor incorporado
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Toshiba
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - NPN doble pre-biasado 50V 30MA
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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DTC123JM3T5G |
Transistores bipolares - 100mA Pre-en polarización negativa 50V NPN BRILLANTE
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en semi
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RN1901 ((T5L,F,T) |
Transistores bipolares - Trans BRT de generación pre-biasada NPN US6, 50V, 100A 100mA
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Toshiba
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PDTB114EQAZ |
Transistores bipolares - PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7 pre-biasado
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Nexperia
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DTA023YUBTL |
Transistores bipolares - Transistores digitales PNP pre-biasados integrados en resistencias
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - SS BR XSTR NPN 50V con pre-sesgo
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en semi
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DTC114YKAT146 |
Transistores bipolares - DIGITL NPN 50V 70MA pre-biasado
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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DTA014YEBTL |
Transistores bipolares - Transistores digitales PNP pre-biasados integrados en resistencias
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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RN1311 ((TE85L,F) |
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Toshiba
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IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET N-CH 600V 35A hasta 247
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STMicroelectrónica
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IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad. |
Diodo de barrera de Schottky
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Fuji eléctrico
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la se
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Tecnologías Infineon
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IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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IR / Infineon
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Se aplicará a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET N-CH 600V 8A hasta 220FP
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE y otros sistemas de transmisión
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Tecnologías Infineon
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IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38,7nC
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Tecnologías Infineon
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto |
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm MOSFET para automóviles
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IR / Infineon
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IRF7815PBF (en inglés) |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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BS170_D26Z: el uso de la tecnología de la información |
MOSFET Modo de mejora N-Ch Efecto de campo
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Semiconductor Fairchild
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ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
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Diodos incorporados
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Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N-CH 600V 0,05A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET 600V MOSFET de canal N, UniFET-II
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de los activos de las entidades de crédito de las que se trate. |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR y sus componentes
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Instrumentos de Texas
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PMV32UP,215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
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STMicroelectrónica
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Es el DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Baja velocidad
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Diodos incorporados
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STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247 y el resto de los componentes
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STMicroelectrónica
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NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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en semi
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