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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Se trata de una enfermedad que afecta a la salud de los niños. |
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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STMicroelectrónica
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STD65N55LF3 |
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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STMicroelectrónica
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la
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Tecnologías Infineon
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2SK1671 |
MOS FET de canal N de silicio
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Electrónica de Renesas
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IRF7464TRPBF |
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDMS3616S: el número de unidad |
MOSFET 25V Asímétrico 2xNCh MOSFET PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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SI5513CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH MOSFET complementario
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Siliconix / Vishay
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 60V 80A STRIPSFET VI DeepGATE y otros sistemas de transmisión de energía
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la N-CHANNEL 800 V, 1,50 OHM TYP.
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STMicroelectrónica
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STP14NK60ZFP |
MOSFET N-Ch, 600V-0,45 ohms 13.5A
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STMicroelectrónica
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TK14E65W,S1X y las demás |
MOSFET MOSFET NCanal 0,22 ohm DTMOS
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Toshiba
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Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de segur |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS, para el cual se utilizará el sistema de control de velocidad
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la cámara
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad |
MOSFET 650V SUPER FET
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Semiconductor Fairchild
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El objetivo de las medidas de seguridad es: |
MOSFET 25V N-Ch único HEXFET PWR 50A
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Tecnologías Infineon
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FDG6302P |
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 y el resto de los componentes
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en semi
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DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh Modo 20Vgs 53.1nC 2569pF
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Diodos incorporados
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IPP034NE7N3GXKSA1 |
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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CSD16406Q3 |
MOSFET N-Ch NexFET MOSFET de potencia
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Instrumentos de Texas
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IPB80N03S4L-03 |
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IPA60R080P7XKSA1 |
MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 El sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la
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Tecnologías Infineon
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BSS126L6327HTSA1 y sus derivados |
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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en semi
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2N7002,215 |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Nexperia
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BSZ075N08NS5ATMA1 |
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de la zanja T2 de potencia MOSFET
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amperios 500V 0,16 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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El número de personas afectadas es el siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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Tecnologías Infineon
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FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el método de evaluación de los resultados de los ensayos. |
MOSFET N-CH 600V TO247-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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FDS6910 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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en semi
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET baja potencia_legado
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Tecnologías Infineon
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PMPB43XPE,115 |
Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Nexperia
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El número de los certificados y certificados de conformidad |
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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CSD17318Q2T |
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
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Instrumentos de Texas
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
CONSUMIDOR DE MOSFET
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Tecnologías Infineon
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STP46NF30 |
MOSFET N CH 300V 42A hasta 220
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STMicroelectrónica
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 y el sistema de control de las emisiones
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en semi
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros de la UE. |
MOSFET 30 Voltios 20 Amperios 28 vatios
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Vishay Semiconductores
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BSS138W |
MOSFET 50V N-CH Nivel lógico
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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en semi
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Se aplicará a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET y otros componentes de los mismos
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STMicroelectrónica
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC y otros componentes
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en semi
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IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A hasta el 252
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET 60V Diodo de conmutación 1.8 Ohm a 5Vgs 470mA
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET NFET SO8FL 30 V
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en semi
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IRFR1205 |
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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Tecnologías Infineon
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