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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos. |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E: el número de módulos y el número de módulos y el número de módulos
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Diodos incorporados
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En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones: |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET N-CH TO263-7 El contenido de MOSFET N-CH TO263-7 es el mismo que el contenido de MOSFET N-CH
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un documento de identificación de la persona o del grupo de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10.0 Amperios 600 V 0,74 Ohm Rds
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IXYS
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V
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Siliconix / Vishay
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IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invern
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Diodos incorporados
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TPHR6503PL,L1Q y otros |
MOSFET de 30 voltios en el canal N
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Toshiba
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL y sus componentes
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en semi
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Se aplicará el método de ensayo. |
40V 5,4 MOHM T8 S08FL DUA
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en semi
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia. |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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CPC3909ZTR |
MOSFET 400V FET en modo de agotamiento del canal N
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Circuitos integrados IXYS
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET de clase Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 2N-CH 8MLP
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en semi
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BSD235NH6327XTSA1 y sus componentes |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC y también
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Puerta 1.0V
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Diodos incorporados
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga. |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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BSP135 E6327 |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223: las emisiones de dióxido de carbono y de dióxido de carbono de las c
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad será el siguiente: |
MOSFET de alta potencia mejor en su clase
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Tecnologías Infineon
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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Tecnologías Infineon
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IRG4BC40KPBF (en inglés) |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de energía eléctrica de las instalacion
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los productos de la categoría 2 se establecen en el anexo I del presente Reglamento. |
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Tecnologías Infineon
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
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Tecnologías Infineon
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2MBI300P-140 y sus componentes |
Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de las instalaciones eléctricas de combustión inter
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Fuji eléctrico
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FZ900R12KP4 |
Modulos IGBT 1200V y 900A
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Tecnologías Infineon
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El IRGC4630B |
El número de unidades de producción será el siguiente:
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Modulo IGBT Modulo IGBT 450A 1700V
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Tecnologías Infineon
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¿Por qué no lo haces? |
Módulos de IGBT
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SEMIKRON
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6PS18012E4FG35689NWSA1 y sus componentes |
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Tecnologías Infineon
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IRG4RC10SDTRPBF |
IGBT 600V 14A 38W DPAK
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Tecnologías Infineon
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IGP40N65F5XKSA1 |
IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3
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Tecnologías Infineon
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IRG4PC40KDPBF y sus componentes |
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
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Tecnologías Infineon
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IRG7PH28UD1PBF |
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
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Tecnologías Infineon
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El IRGC4059B |
El número de unidades de producción será el siguiente:
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Tecnologías Infineon
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DD160HB160 |
Modulo de diodo
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Sansha eléctrica
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IRGS4615DPBF |
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT 1200V 225A de 3 fases
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de las aeronaves de las categorías IIa y IIIa deberán estar disponibles en el sitio web de la empresa. |
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
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Fuji eléctrico
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Módulos de IGBT
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SEMIKRON
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos IGBT de la serie X de 650 V
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Fuji eléctrico
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 600V 260A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos IGBT Modulo IGBT 150A 650V
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Tecnologías Infineon
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