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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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6MBI180VX-120-80 y el resto de los componentes |
Los módulos IGBT de 6 paquetes EconoPACKTM 600V, 1200V, clase 1700V
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Fuji eléctrico
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IRG8CH10K10F |
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Los módulos IGBT N-CH 600V 55A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT 1700V 225A de 3 fases
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Modulos IGBT de semitráns de nueva gama
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SEMIKRON
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2MBI1400XXB120P-50: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. |
Modulos IGBT de clase PrimePACKTM 1200V
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Fuji eléctrico
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Invertidor NPC de 3 niveles
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SEMIKRON
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Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
El módulo IGBT IHMB130-1
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Tecnologías Infineon
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1MBI2400VS-170E y el resto de los componentes |
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Fuji eléctrico
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FP100R06KE3 |
Los módulos IGBT N-CH 600V 100A
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Tecnologías Infineon
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Modulo IGBT de 1200 V y 50 A PIM
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
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Fuji eléctrico
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Módulos de IGBT
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SEMIKRON
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2MBI300VN-170-50 y el resto de los componentes |
Los módulos IGBT de dos paquetes de la clase 1700V
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Fuji eléctrico
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2MBI450VX-120-50: el número de unidades |
Los módulos IGBT de 2 paquetes de la clase 1200V
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Fuji eléctrico
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F475R07W2H3B51BPSA1 |
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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Tecnologías Infineon
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7MBR10SC120: las condiciones de los productos |
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Fuji eléctrico
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
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Tecnologías Infineon
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6PS04512E43W39693 El equipo de la oficina de la oficina de la oficina |
Módulos de IGBT
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Tecnologías Infineon
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En el caso de las personas que se encuentran en una situación de riesgo, el riesgo es el de que se encuentren en situación de riesgo. |
Módulos de IGBT
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SEMIKRON
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IRG7PK42UD1PBF |
IGBT 1200V MUEREN
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B serán las siguientes: |
Clasificación de IGBT 1200V discreto
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Fuji eléctrico
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IRGS4607DTRRPBF |
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Modelos IGBT Módulo IGBT
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán ser las siguientes: |
Módulos de IGBT
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Tecnologías Infineon
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BC817-16LT1G |
Transistores bipolares - BJT 500mA 50V NPN
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en semi
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT NPN 20V con una alta ganancia
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Diodos incorporados
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DPLS160V-7 |
Transistores bipolares - BJT PNP.3W
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Diodos incorporados
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MJE15034G |
Transistores bipolares - BJT 4A 350V 50W NPN
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en semi
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
Transistores bipolares - BJT NPN BIPOLAR
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores bipolares - BJT 100mA 30V NPN
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en semi
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FCX690BTA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alta ganancia
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT con doble coincidencia PNP XSTR 45V
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en semi
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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en semi
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BCP54, ¿qué quieres decir?115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
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Nexperia
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 1A 50V NPN
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en semi
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2SD1766T100R: el número de unidad |
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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2DD1664P-13 |
Transistores bipolares - BJT 1000W 32Vceo
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Diodos incorporados
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2SC3837KT146P: el contenido de la sustancia |
Transistores bipolares - BJT NPN 20V 50MA
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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Se aplicará el procedimiento siguiente:115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
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Nexperia
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MJD42CG |
Transistores bipolares - BJT 6A 100V 20W PNP
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en semi
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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en semi
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2SD2098T100S: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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en el caso de los vehículos de las categorías M1 y M2215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
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Nexperia
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2SA1774G. |
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en semi
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PBSS4032SP,115 |
Transistores bipolares - BJT PNP doble -30V -4.8A 0,73W 115MHz
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Nexperia
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MCH5541-TL-E |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP+NPN 0,7A 30V
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en semi
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores bipolares - BJT de transistores
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Tecnologías Infineon
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2SD2696T2L: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
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Se trata de un sistema de transmisión de datos.
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DXT5551-13 |
Transistores bipolares - BJT 1W 160V
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Diodos incorporados
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