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transistores

Imagenparte #DescripciónfabricanteLas existenciasCuadros de trabajo
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT 20V PNP SuperSOT4
Diodos incorporados
BCP56-16, en el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo.135

BCP56-16, en el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo.135

Transistores bipolares - BJT TRANS MED PWR TAPE13 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
Nexperia
2SC4027T-H

2SC4027T-H

Transistores bipolares - BJT BIP NPN 1.5A 160V
en semi
DNLS320E-13 (en inglés)

DNLS320E-13 (en inglés)

Diodos incorporados
MJD340RLG

MJD340RLG

Transistores bipolares - BJT 0.5A 300V 15W NPN
en semi
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

en semi
ZTX788ASTZ

ZTX788ASTZ

Transistores bipolares - BJT PNP Super E-Line
Diodos incorporados
BST51, ¿qué quieres decir?135

BST51, ¿qué quieres decir?135

Nexperia
PBSS4540X,135

PBSS4540X,135

Nexperia
con una capacidad de carga superior a 20 kW,115

con una capacidad de carga superior a 20 kW,115

Transistores bipolares - BJT 100V 5.2A NPN bajo VCESAT
Nexperia
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Transistores bipolares - BJT NPN 45 V 100 mA
Tecnologías Infineon
2SC5659T2LN: el contenido de agua en el agua

2SC5659T2LN: el contenido de agua en el agua

Transistores bipolares - BJT NPN 25V 50MA
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
PMP5201Y,115

PMP5201Y,115

Transistores bipolares - Pareja de transistores BJT
Nexperia
2SC5242-R ((Q))

2SC5242-R ((Q))

Toshiba
ZTX1147A

ZTX1147A

Transistores bipolares - BJT PNP de alta ganancia y crnt
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Diodos incorporados
2SB1590KT146Q: el contenido de agua en el agua

2SB1590KT146Q: el contenido de agua en el agua

Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles.

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles.

Transistores bipolares - BJT 20V NPN bajo VCE ((SAT)
en semi
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.

Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.

Transistores bipolares - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V
en semi
En el caso de los vehículos de la categoría N, el valor de los valores de los vehículos de la categoría N será el mismo.

En el caso de los vehículos de la categoría N, el valor de los valores de los vehículos de la categoría N será el mismo.

en semi
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT NPN BIPOLAR
Diodos incorporados
2SC4116-GR, SI

2SC4116-GR, SI

Toshiba
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Transistores bipolares - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 5PIN
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT SS HV XSTR SPCL TR
en semi
PBSS8110D,115

PBSS8110D,115

Nexperia
El PXTA92,115

El PXTA92,115

Transistores bipolares - BJT TRANS HV TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares - Tra
Nexperia
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

en semi
PBSS4160PAN,115

PBSS4160PAN,115

Transistores bipolares - BJT 60V 1A NPN/PNP con transistor VCEsat
Nexperia
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN SOT-323 y sus componentes
Diodos incorporados
2DB1697-13

2DB1697-13

Transistores bipolares - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K
Diodos incorporados
2SB1124T-TD-H

2SB1124T-TD-H

Transistores bipolares - BJT BIP PNP 3A 50V
en semi
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT 50V NPN SuperSOT4
Diodos incorporados
DNBT8105-7: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo.

DNBT8105-7: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo.

Transistores bipolares - BJT 1A
Diodos incorporados
NSS60101DMTTBG: las condiciones de las operaciones de los operadores de los Estados miembros.

NSS60101DMTTBG: las condiciones de las operaciones de los operadores de los Estados miembros.

Transistores bipolares - BJT DUAL 60V 1A bajo
en semi
DSS5160T-7: el número de unidades de seguridad de las que se trate.

DSS5160T-7: el número de unidades de seguridad de las que se trate.

Transistores bipolares - BJT SS bajo sat Transisto SOT23 T&R 3K
Diodos incorporados
PBSS8110T,215

PBSS8110T,215

Transistores bipolares - BJT TRANS BISS TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares - T
Nexperia
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Transistores bipolares - BJT con doble coincidencia PNP GP XTT
en semi
PZT2222AT3G

PZT2222AT3G

en semi
2SC5886A ((T6L1,NQ)

2SC5886A ((T6L1,NQ)

Transistores bipolares - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 a 1000 hFE 5A
Toshiba
Se trata de un proyecto de investigación.

Se trata de un proyecto de investigación.

Transistores bipolares - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
en semi
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT PNP BIPOLAR
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Transistores bipolares - BJT PNP 32V 100MA
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Transistores bipolares - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
Diodos incorporados
BC807,215

BC807,215

Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
Nexperia
DSA340200L: el número de unidad

DSA340200L: el número de unidad

Transistores bipolares - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.2x1.2mm
Las máquinas de la clase Panasonics
2SA1774TLQ

2SA1774TLQ

Transistores bipolares - BJT PNP 50V 0,15A SOT-416
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
PMBT3906MB,315

PMBT3906MB,315

Transistores bipolares - BJT 40V, 200 mA Transistores de conmutación NPN
Nexperia
el número de unidades de producción de las que se trate;125

el número de unidades de producción de las que se trate;125

Transistores bipolares - BJT Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6 pines
Nexperia
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:

en semi
15 16 17 18 19