Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET N-CH 600V 35A hasta 247
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STMicroelectrónica
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IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad. |
Diodo de barrera de Schottky
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Fuji eléctrico
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la se
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Tecnologías Infineon
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IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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IR / Infineon
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Se aplicará a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET N-CH 600V 8A hasta 220FP
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE y otros sistemas de transmisión
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Tecnologías Infineon
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IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38,7nC
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Tecnologías Infineon
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto |
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm MOSFET para automóviles
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IR / Infineon
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IRF7815PBF (en inglés) |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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BS170_D26Z: el uso de la tecnología de la información |
MOSFET Modo de mejora N-Ch Efecto de campo
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Semiconductor Fairchild
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ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
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Diodos incorporados
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Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N-CH 600V 0,05A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET 600V MOSFET de canal N, UniFET-II
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de los activos de las entidades de crédito de las que se trate. |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR y sus componentes
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Instrumentos de Texas
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PMV32UP,215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
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STMicroelectrónica
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Es el DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Baja velocidad
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Diodos incorporados
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STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247 y el resto de los componentes
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STMicroelectrónica
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NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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en semi
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Se trata de una enfermedad que afecta a la salud de los niños. |
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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STMicroelectrónica
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STD65N55LF3 |
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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STMicroelectrónica
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la
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Tecnologías Infineon
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2SK1671 |
MOS FET de canal N de silicio
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Electrónica de Renesas
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IRF7464TRPBF |
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDMS3616S: el número de unidad |
MOSFET 25V Asímétrico 2xNCh MOSFET PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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SI5513CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH MOSFET complementario
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Siliconix / Vishay
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 60V 80A STRIPSFET VI DeepGATE y otros sistemas de transmisión de energía
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la N-CHANNEL 800 V, 1,50 OHM TYP.
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STMicroelectrónica
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STP14NK60ZFP |
MOSFET N-Ch, 600V-0,45 ohms 13.5A
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STMicroelectrónica
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TK14E65W,S1X y las demás |
MOSFET MOSFET NCanal 0,22 ohm DTMOS
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Toshiba
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Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de segur |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS, para el cual se utilizará el sistema de control de velocidad
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la cámara
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad |
MOSFET 650V SUPER FET
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Semiconductor Fairchild
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El objetivo de las medidas de seguridad es: |
MOSFET 25V N-Ch único HEXFET PWR 50A
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Tecnologías Infineon
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FDG6302P |
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 y el resto de los componentes
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en semi
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DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh Modo 20Vgs 53.1nC 2569pF
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Diodos incorporados
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IPP034NE7N3GXKSA1 |
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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CSD16406Q3 |
MOSFET N-Ch NexFET MOSFET de potencia
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Instrumentos de Texas
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IPB80N03S4L-03 |
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IPA60R080P7XKSA1 |
MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 El sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la
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Tecnologías Infineon
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BSS126L6327HTSA1 y sus derivados |
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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en semi
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2N7002,215 |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Nexperia
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