Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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BSZ075N08NS5ATMA1 |
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de la zanja T2 de potencia MOSFET
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amperios 500V 0,16 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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El número de personas afectadas es el siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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Tecnologías Infineon
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FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el método de evaluación de los resultados de los ensayos. |
MOSFET N-CH 600V TO247-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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FDS6910 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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en semi
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET baja potencia_legado
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Tecnologías Infineon
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PMPB43XPE,115 |
Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Nexperia
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El número de los certificados y certificados de conformidad |
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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CSD17318Q2T |
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
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Instrumentos de Texas
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
CONSUMIDOR DE MOSFET
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Tecnologías Infineon
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STP46NF30 |
MOSFET N CH 300V 42A hasta 220
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STMicroelectrónica
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 y el sistema de control de las emisiones
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en semi
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros de la UE. |
MOSFET 30 Voltios 20 Amperios 28 vatios
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Vishay Semiconductores
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BSS138W |
MOSFET 50V N-CH Nivel lógico
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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en semi
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Se aplicará a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET y otros componentes de los mismos
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STMicroelectrónica
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC y otros componentes
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en semi
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IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A hasta el 252
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET 60V Diodo de conmutación 1.8 Ohm a 5Vgs 470mA
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET NFET SO8FL 30 V
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en semi
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IRFR1205 |
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos. |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E: el número de módulos y el número de módulos y el número de módulos
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Diodos incorporados
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En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones: |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET N-CH TO263-7 El contenido de MOSFET N-CH TO263-7 es el mismo que el contenido de MOSFET N-CH
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un documento de identificación de la persona o del grupo de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10.0 Amperios 600 V 0,74 Ohm Rds
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IXYS
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V
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Siliconix / Vishay
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IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invern
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Diodos incorporados
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TPHR6503PL,L1Q y otros |
MOSFET de 30 voltios en el canal N
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Toshiba
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL y sus componentes
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en semi
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Se aplicará el método de ensayo. |
40V 5,4 MOHM T8 S08FL DUA
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en semi
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia. |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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CPC3909ZTR |
MOSFET 400V FET en modo de agotamiento del canal N
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Circuitos integrados IXYS
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET de clase Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 2N-CH 8MLP
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en semi
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BSD235NH6327XTSA1 y sus componentes |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC y también
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Puerta 1.0V
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Diodos incorporados
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga. |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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BSP135 E6327 |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223: las emisiones de dióxido de carbono y de dióxido de carbono de las c
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad será el siguiente: |
MOSFET de alta potencia mejor en su clase
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Tecnologías Infineon
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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Tecnologías Infineon
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