Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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IPP034NE7N3GXKSA1 |
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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CSD16406Q3 |
MOSFET N-Ch NexFET MOSFET de potencia
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Instrumentos de Texas
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IPB80N03S4L-03 |
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IPA60R080P7XKSA1 |
MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 El sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la
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Tecnologías Infineon
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BSS126L6327HTSA1 y sus derivados |
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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en semi
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2N7002,215 |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Nexperia
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BSZ075N08NS5ATMA1 |
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de la zanja T2 de potencia MOSFET
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amperios 500V 0,16 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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El número de personas afectadas es el siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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Tecnologías Infineon
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FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el método de evaluación de los resultados de los ensayos. |
MOSFET N-CH 600V TO247-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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FDS6910 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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en semi
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET baja potencia_legado
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Tecnologías Infineon
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PMPB43XPE,115 |
Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Nexperia
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El número de los certificados y certificados de conformidad |
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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CSD17318Q2T |
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
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Instrumentos de Texas
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
CONSUMIDOR DE MOSFET
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Tecnologías Infineon
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STP46NF30 |
MOSFET N CH 300V 42A hasta 220
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STMicroelectrónica
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 y el sistema de control de las emisiones
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en semi
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros de la UE. |
MOSFET 30 Voltios 20 Amperios 28 vatios
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Vishay Semiconductores
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BSS138W |
MOSFET 50V N-CH Nivel lógico
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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en semi
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Se aplicará a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET y otros componentes de los mismos
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STMicroelectrónica
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC y otros componentes
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en semi
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IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A hasta el 252
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET 60V Diodo de conmutación 1.8 Ohm a 5Vgs 470mA
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET NFET SO8FL 30 V
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en semi
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IRFR1205 |
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos. |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E: el número de módulos y el número de módulos y el número de módulos
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Diodos incorporados
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En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones: |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET N-CH TO263-7 El contenido de MOSFET N-CH TO263-7 es el mismo que el contenido de MOSFET N-CH
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un documento de identificación de la persona o del grupo de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10.0 Amperios 600 V 0,74 Ohm Rds
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IXYS
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V
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Siliconix / Vishay
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IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invern
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Diodos incorporados
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TPHR6503PL,L1Q y otros |
MOSFET de 30 voltios en el canal N
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Toshiba
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL y sus componentes
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en semi
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Se aplicará el método de ensayo. |
40V 5,4 MOHM T8 S08FL DUA
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en semi
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia. |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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CPC3909ZTR |
MOSFET 400V FET en modo de agotamiento del canal N
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Circuitos integrados IXYS
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET de clase Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 2N-CH 8MLP
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en semi
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